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T1504 CY7C15 10M8A EA2015A SPD9441 MC12080P BR2321W MAA02033
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Technische Information / Technical Information
Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection
T 1503 NH 75...80 TOH
N
Features:
Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Volle Sperrfahigkeit bei 120 mit 50 Hz Hoher Stostrom mit hohem di/dt und niedriger Warmewiderstand durch NTV Verbindung zwischen Silizium und Mo-Tragerscheibe Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection Full blocking capability at 120C with 50 Hz High surge current with high di/dt and low thermal resistance by using low temperatureconnection NTV between silicon wafer and molybdenum Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
Periodische Ruckwarts-Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stostrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I2t-value Kritische Stromsteilheit, periodisch critical rate of rise of on-state current, repetitive Kritische Stromsteilheit, nicht-periodisch critical rate of rise of on-state current, non-repetitive Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state current
f = 50 Hz
VRRM
Tvj min = -40C Tvj min = 0C 7500 7700 8000 8200
V V
ITRMSM
TC = 85C, f = 50Hz TC = 60C, f = 50Hz Tvj = 25C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms Tvj = 25C, tp = 10ms Tvj = Tvj max, tp = 10ms DIN IEC 747-6 VD VBO, f = 50Hz, PL = 40mW, trise = 0,5s Tvj = 50C, VD VBO, iT 10kA PL = 40mW, trise = 0,5s Tvj = Tvj max, vDM = 5kV
3800 A 1760 A 2440 A 45 kA 40 kA 10,1*106 A2s 2 8,0*106 A s 300 A/s
ITAVM ITSM I2t
(di/dt)cr
(di/dt)cr (dv/dt)cr
5000 A/s 2000 V/s
www..com
BIP AC / SM PB, 2001-10-04, Przybilla J. / Keller www..com
Release 2.2
Seite/page 1
Technische Information / Technical Information
Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection
T 1503 NH 75...80 TOH
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values Schutzundspannung (statisch) protective break over voltage Durchlaspannung on-state voltage Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / slope resistance Durchlarechenkennlinie on-state characteristics for calculations
Tvj = 0C ... Tvj max
VBO typ. vT 2,8 typ. VTO rT 1,20 0,40
typ.
min. 7500 max. 3,0 max. 1,24 0,44
max.
V
Tvj = Tvj max, iT = 4kA
V
Tvj = Tvj max
V m
Tvj = Tvj max
VT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D iT
500 A iT 5000 A
A B C D
Tvj = 25C, vD = 200V
0,616 0,000219 0,0342 0,0161
-0,0864 0,000343 0,2021 0,000614 mW 350 mA 1A 500 mA
erforderliche Zundlichtleistung required gate trigger light power Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents Zundverzug gate controlled delay time Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
PLM IH IL iD, iR tgd tq
min. 40
Tvj = 25C
Tvj = 25C, vD = 200V, PLM = 40mW, tan = 0,5s Tvj = Tvj max vD = vR = 7500V Tvj = 25C, vD = 1000V, PLM = 40mW, tan = 0,5s Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100V, vDM = 0,67vDRM dvD/dt = 20V/s, -diT/dt = 10A/s 4. Kennbuchstabe / 4th letter O Tvj = Tvj max ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/s VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
typ. 5
s s
typ. 550
Sperrverzogerungsladung recovered charge Ruckstromspitze peak reverse recovery current
Qr
15 mAs
Tvj = Tvj max ITM = 2,5 kA, di/dt = 10A/s VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
IRM
350 A
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Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided , DC Anode / anode DC Kathode / cathode DC beidseitig / two-sided einseitig / single-sided
RthJC
0,0063 0,0060 0,0106 0,0138 0,0015 0,003 +120
C/W C/W C/W C/W C/W C/W C
Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
RthCK Tvj max Tc op Tstg
-40...+120 C -40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehause, siehe Anlage case, see appendix Si-Element mit Druckkontakt, Lichtzundung Si-pellet with pressure contact, ligt triggered Anprekraft clampig force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance
DIN 40040
Seite 4 Silizium Tablette silicon wafer F G
typ.
101LTN80
63...91 kN 3200 g 49 mm C 50 m/s2
f = 50Hz
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Lichtgezundeter Netz Thyristor mit integriertem Uberspannungsschutz Phase Control Thyristor, light triggered with integrated overvoltage protection
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Mabild / Outline
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Durchlakennlinien iT = f ( vT )
Limiting and typical on-state characteristic Tvj = 120C
N
4500
4000
3500
3000
2500 IT [A] 2000 1500 1000 500
0 0 0,5 1 1,5 V T [V ] 2 2,5 3 3,5
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Transienter innerer Warmewiderstand Transient thermal impedance Zth JC = f (t)
Z th JC (t ) =
n
Rth n 1 - e -t / n
(
)
anodenseitige Kuhlung / anode sided cooling Rth n [K/W] n [s] 0,00662 11,6 0,00043 0,946 0,00248 0,219 0,00081 0,0310 0,00026 0,00761 0,0106 -
n 1 2 3 4 5
beidseitige Kuhlung / double sided cooling Rth n [K/W] n [s] 0,00238 2,06 0,00202 0,301 0,00110 0,0674 0,0005 0,0122 0 1 0,006 -
kathodenseitige Kuhlung / cathod sided cooling Rth n [K/W] n [s] 0,0102 9,62 0,00224 0,268 0,00092 0,0532 0,00044 0,0107 0 1 0,0138 -
0,015
c
0,010
a
Zth [K/W]
d 0,005
0,000 0,001 0,01 0,1
t [s]
1
10
100
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Sperrverzogerungsladung Qr = f ( - di/dt )
recovered charge Nebenbedingungen: Tvj = 120C, ITM = 4000A, vR = 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
50
40
30
20
10 9 8
Q r r [m A s ] 7
6 5
4
3
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
30
d i /d t [A / s ]
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Ruckstromspitze / reverse recovery current
(typische Abhangigkeit / typical dependence)
IRM = f ( - di/dt)
Tvj = 120C, ITM = 2500A, vR = 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM
700
600
500
400
IRM [A]
300
200
100
0 0 5 10 15 20 25
di/dt [A/s]
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